直拉(la)硅片的發展趨勢
技術創新引領發展(zhan)
（一）大(da)尺寸化進程加快
為(wei)提升生產效(xiao)率和(he)(he)降(jiang)低成(cheng)(cheng)本，直拉(la)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)大尺(chi)寸化成(cheng)(cheng)為(wei)重要(yao)趨勢。在光(guang)伏(fu)(fu)領(ling)域，硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)尺(chi)寸從早期的(de) 125mm 逐步發展到如(ru)今(jin)主流的(de) 182mm 和(he)(he) 210mm。2023 年，182mm 和(he)(he) 210mm 尺(chi)寸硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)合計占比高達 98％ ，成(cheng)(cheng)為(wei)市場絕對主流。大尺(chi)寸硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)能(neng)在單位面積內切(qie)割出更多芯片(pian)(pian)，減少邊緣損耗，降(jiang)低光(guang)伏(fu)(fu)組(zu)件的(de)制造(zao)成(cheng)(cheng)本。在半(ban)導體(ti)領(ling)域，8 英寸和(he)(he) 12 英寸硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)是當前(qian)主流產品，滿足了集(ji)成(cheng)(cheng)電路、分立器件等不(bu)同應用需求。隨著技術進步，更大尺(chi)寸硅(gui)(gui)(gui)片(pian)(pian)研發也在穩步推進，有望進一步提升半(ban)導體(ti)制造(zao)的(de)經濟效(xiao)益。
（二(er)）薄片化持續(xu)推進
直拉硅(gui)片(pian)(pian)薄(bo)片(pian)(pian)化(hua)也(ye)是技(ji)術發展的(de)重(zhong)要方向。在光伏行業，主流硅(gui)片(pian)(pian)厚度(du)已由(you) 2021 年的(de) 170μm 快速下降(jiang)至(zhi) 150 - 155μm，并且仍(reng)有下降(jiang)空間。n 型(xing)電(dian)池(chi)技(ji)術的(de)發展對硅(gui)片(pian)(pian)薄(bo)片(pian)(pian)化(hua)提出(chu)了更高要求，未(wei)來用于 topcon 等(deng)電(dian)池(chi)的(de)硅(gui)片(pian)(pian)厚度(du)預計將達到 120μm 及以下。薄(bo)片(pian)(pian)化(hua)不僅能減少硅(gui)材料(liao)用量，降(jiang)低(di)成本，還能提升電(dian)池(chi)的(de)光電(dian)轉換效率。在半導體制造中，薄(bo)片(pian)(pian)化(hua)有助于提高芯片(pian)(pian)的(de)集成度(du)和性能，降(jiang)低(di)芯片(pian)(pian)功耗。
（三）N 型硅片崛(jue)起
在光伏市場，N 型硅片憑借更高的光電轉化率、更低的衰減率等優勢，逐漸嶄露頭角。隨著 N 型電池技術如 TOPCon、HJT 等不斷成熟和成本降低，N 型硅片的市場需求快速增長，正在逐步取代 P 型硅片成為市場主流。在半導體領域，N 型硅片也在特定應用場景中展現出獨特優勢，如在高性能處理器、存儲器等方面，有助于提升芯片的性能和可靠性。
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